화웨이 MWC 2025 부스
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화웨이 MWC 2025 부스.
/한국화웨이 제공 중국 화웨이가 내년3나노(nm) 공정 기반의 애플리케이션 프로세서(AP) 출시를 준비 중인 것으로 알려졌다.
화웨이의 설계를 기반으로 중국 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 기업인 SMIC와 협력해 생산을 준비 중이다.
자립’에 속도를 내고 있다는 분석이 나온다.
5일 중국 언론에 따르면 화웨이는 내년 출시를 목표로 게이트올어라운드(GAA) 기반3나노AP 칩 개발에 들어갔다.
GAA는 TSMC와 삼성전자가 파운드리 공정에서 쓰는 저전력 트랜지스터 기술이다.
르네사스일렉트릭코리아 대표 자율주행차와 차량 전장 고도화가 빠르게 진행되는 가운데, 르네사스가 세계 최초의 자동차용3나노SoC인 'R-Car X5H'를 공개하며 시장에 큰 주목을 받고 있다.
고성능 연산 능력과 칩렛 기반 확장성, 기능 안전성 격리 기술까지 두루.
선두 TSMC가 몸집 불리기에 여념 없습니다.
미국과 일본, 독일에 이어서, 이번엔 중동 진출을 타진하고 나섰고요.
최단기간3나노100% 가동률을 찍고, 다음 단계인 2나노양산도 코앞에 두면서, 업계 2위 삼성전자와의 격차를 한껏 더 벌리고 있습니다.
50% 수준에 머무르고 있는 것으로 알려졌다.
양산을 선언한 지3년 차에 돌입했다는 점을 감안하면 오랜 기간 낮은 수율에 시달리는 것은 이례적이다.
이에 반해 TSMC의 경우3나노에서 90% 이상의 수율을 확보해 생산 효율을 안정화한 것으로 알려졌다.
중국 화웨이가 내년부터 EUV(극자외선) 노광장비 없이3나노(㎚) 공정을 기반으로 한 고사양 칩 양산을 시작할 계획인 것으로 알려졌다.
젠슨 황 엔비디아 CEO(최고경영자)의 경고대로, 미국의 대중 첨단 반도체 장비 통제가 역으로.
이상의 자국 반도체 기업에 투자해 '공급망 자립화'를 준비한 것으로 나타났다.
화웨이는 5나노미터(㎚) 양산에 이어 내년까지3나노양산에 돌입한다는 목표다.
중국 창신메모리(CXMT)는 내년 4세대 고대역폭메모리(HBM3) 양산에 나선다는 계획이다.
특히3나노공정은 양산 개시 시점부터 5개 분기만인 지난해 하반기 '풀가동' 체제를 기록한 것으로 나타났다.
21일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 최근 TSMC의3나노공정은 양산 이후 사상 최단기간인 5분기 만에.
21일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 최근 TSMC의3나노공정은 양산 이후 사상 최단기간인 5분기 만에 처음.
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